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Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H(TE85L,F

Name: TPCP8003-H(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCP8003-H(TE85L,F
Availability: InStock
Rating: 4.9 (44 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPCP8003-H(TE85L,F

quantité disponible: 86900 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIII-H MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPCP8003-H(TE85L,F.pdf

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TPCP8003-H(TE85L,F Caractéristiques

Référence fabricant	TPCP8003-H(TE85L,F
Numéro de pièce future	FT-TPCP8003-H(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIII-H
TPCP8003-H(TE85L,F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	840mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PS-8 (2.9x2.4)
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCP8003-H(TE85L,F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPCP8003-H(TE85L,F-FT

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