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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M

Name: TPCF8B01(TE85L,F,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCF8B01(TE85L,F,M
Availability: InStock
Rating: 4.8 (28 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPCF8B01(TE85L,F,M

quantité disponible: 31610 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

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TPCF8B01(TE85L,F,M Caractéristiques

Référence fabricant	TPCF8B01(TE85L,F,M
Numéro de pièce future	FT-TPCF8B01(TE85L,F,M
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIII
TPCF8B01(TE85L,F,M Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 10V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	330mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	VS-8 (2.9x1.5)
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8B01(TE85L,F,M Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPCF8B01(TE85L,F,M-FT

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