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Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M

Numéro de pièce MFG
TPCF8101(TE85L,F,M
quantité disponible
62000 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSIII MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TPCF8101(TE85L,F,M Caractéristiques

Référence fabricant TPCF8101(TE85L,F,M
Numéro de pièce future FT-TPCF8101(TE85L,F,M
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSIII
TPCF8101(TE85L,F,M Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur VS-8 (2.9x1.5)
Paquet / caisse 8-SMD, Flat Lead
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCF8101(TE85L,F,M Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPCF8101(TE85L,F,M-FT

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