maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPCC8009,LQ(O
Référence fabricant | TPCC8009,LQ(O |
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Numéro de pièce future | FT-TPCC8009,LQ(O |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSIV |
TPCC8009,LQ(O Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCC8009,LQ(O Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPCC8009,LQ(O-FT |
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