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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8009,LQ(O

Numéro de pièce MFG
TPCC8009,LQ(O
quantité disponible
44640 Pièces
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSIV MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TPCC8009,LQ(O Caractéristiques

Référence fabricant TPCC8009,LQ(O
Numéro de pièce future FT-TPCC8009,LQ(O
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSIV
TPCC8009,LQ(O Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 24A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPCC8009,LQ(O Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPCC8009,LQ(O-FT

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