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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM)

Name: TPC8A06-H(TE12LQM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8A06-H(TE12LQM)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (437 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPC8A06-H(TE12LQM)

quantité disponible: 62220 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPC8A06-H(TE12LQM).pdf

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TPC8A06-H(TE12LQM) Caractéristiques

Référence fabricant	TPC8A06-H(TE12LQM)
Numéro de pièce future	FT-TPC8A06-H(TE12LQM)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TPC8A06-H(TE12LQM) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 10V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / caisse	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8A06-H(TE12LQM) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPC8A06-H(TE12LQM)-FT

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