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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H(TE12LQM)

Numéro de pièce MFG
TPC8018-H(TE12LQM)
quantité disponible
90760 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TPC8018-H(TE12LQM) Caractéristiques

Référence fabricant TPC8018-H(TE12LQM)
Numéro de pièce future FT-TPC8018-H(TE12LQM)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TPC8018-H(TE12LQM) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2265pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / caisse 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8018-H(TE12LQM) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPC8018-H(TE12LQM)-FT

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