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Transphorm TP65H050WS

Name: TP65H050WS
Brand: Transphorm
SKU: TP65H050WS
Price: 12.952 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (655 reviews)

Numéro de pièce MFG: TP65H050WS

quantité disponible: 94160 Pièces

Prix de référence: USD 12.952

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Transphorm

Brève description: - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TP65H050WS.pdf

TP65H050WS Caractéristiques

Référence fabricant	TP65H050WS
Numéro de pièce future	FT-TP65H050WS
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TP65H050WS Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	119W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TP65H050WS Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TP65H050WS-FT

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