maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TP65H050WS
Référence fabricant | TP65H050WS |
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Numéro de pièce future | FT-TP65H050WS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TP65H050WS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 34A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 119W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TP65H050WS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TP65H050WS-FT |
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