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Transphorm TP65H035WS
- Numéro de pièce MFG
- TP65H035WS
- quantité disponible
- 47840 Pièces
- Prix de référence
- USD 15.576
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Transphorm
- Brève description
- - GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- TP65H035WS.pdf
TP65H035WS Caractéristiques
| Référence fabricant | TP65H035WS |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-TP65H035WS |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| TP65H035WS Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 46.5A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 156W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
| Paquet / caisse | TO-247-3 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TP65H035WS Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | TP65H035WS-FT |
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