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Référence fabricant | TN5325N3-G-P002 |
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Numéro de pièce future | FT-TN5325N3-G-P002 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TN5325N3-G-P002 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 215mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 740mW (Ta) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN5325N3-G-P002 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TN5325N3-G-P002-FT |
ZVP3306A
Diodes Incorporated
ZVNL110A
Diodes Incorporated
ZVN0545A
Diodes Incorporated
ZVN2106A
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ZVNL110ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN2110A
Diodes Incorporated
ZVP0545A
Diodes Incorporated
BS170P
Diodes Incorporated
ZVN4206AVSTZ
Diodes Incorporated
2N7000
ON Semiconductor
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
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EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
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