maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR / TN2010H-6G-TR
Référence fabricant | TN2010H-6G-TR |
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Numéro de pièce future | FT-TN2010H-6G-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TN2010H-6G-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - état d'arrêt | 600V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 1.3V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 10mA |
Tension - On On (Vtm) (Max) | 1.6V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 12.7A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 20A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | 40mA |
État actuel - Arrêt (Max) | 5µA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 197A, 180A |
Type de RCS | Sensitive Gate |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2010H-6G-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TN2010H-6G-TR-FT |
VS-16TTS12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS12STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16TTS16STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-1PQ100I
Microsemi Corporation
A3PE1500-FG484
Microsemi Corporation
EP20K400CF672C8
Intel
EP1S20F484C7N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA4H1F35I2N
Intel
XC6VLX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel