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Microchip Technology TN0610N3-G-P013

Numéro de pièce MFG
TN0610N3-G-P013
quantité disponible
52720 Pièces
Prix de référence
USD 0.64272
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Date d'expédition
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fabricant
Microchip Technology
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TN0610N3-G-P013.pdf
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TN0610N3-G-P013 Caractéristiques

Référence fabricant TN0610N3-G-P013
Numéro de pièce future FT-TN0610N3-G-P013
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TN0610N3-G-P013 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 500mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-92-3
Paquet / caisse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TN0610N3-G-P013 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TN0610N3-G-P013-FT

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