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Microchip Technology TN0110N3-G-P002

Name: TN0110N3-G-P002
Brand: Microchip Technology
SKU: TN0110N3-G-P002
Price: 0.59328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (805 reviews)

Numéro de pièce MFG: TN0110N3-G-P002

quantité disponible: 98320 Pièces

Prix de référence: USD 0.59328

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microchip Technology

Brève description: - MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TN0110N3-G-P002.pdf

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TN0110N3-G-P002 Caractéristiques

Référence fabricant	TN0110N3-G-P002
Numéro de pièce future	FT-TN0110N3-G-P002
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TN0110N3-G-P002 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	350mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TN0110N3-G-P002 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TN0110N3-G-P002-FT

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