maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TMPG06-33AHE3_A/C
Référence fabricant | TMPG06-33AHE3_A/C |
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Numéro de pièce future | FT-TMPG06-33AHE3_A/C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TMPG06-33AHE3_A/C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 31.6V |
Tension - Panne (Min) | 31.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 45.7V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.8A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | MPG06, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | MPG06 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TMPG06-33AHE3_A/C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TMPG06-33AHE3_A/C-FT |
BZT03D150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D16-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D160-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D160-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D180-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT03D180-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel