maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / TLE4955CE4AAMA1

| Référence fabricant | TLE4955CE4AAMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-TLE4955CE4AAMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q100 |
| TLE4955CE4AAMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Une fonction | Special Purpose |
| La technologie | Hall Effect |
| Polarisation | North Pole, South Pole |
| Plage de détection | -30mT Trip, 30mT Release |
| Condition de test | 25°C |
| Tension - Alimentation | 4V ~ 20V |
| Courant - Alimentation (Max) | 8mA |
| Courant - Sortie (Max) | 16mA |
| Le type de sortie | PWM |
| Caractéristiques | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 110°C |
| Paquet / caisse | 2-SIP, SSO-2-53 |
| Package d'appareils du fournisseur | PG-SSO-2-53 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TLE4955CE4AAMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | TLE4955CE4AAMA1-FT |

ATS177-WLA-A
Diodes Incorporated

ATS276G-PG-B-A
Diodes Incorporated

ATS276G-PG-B-B
Diodes Incorporated

ATS276G-PG-B-C
Diodes Incorporated

ATS276H-PG-B-A
Diodes Incorporated

ATS276H-PG-B-B
Diodes Incorporated

ATS276H-PG-B-C
Diodes Incorporated

ATS277H-PG-B-A
Diodes Incorporated

ATS277H-PG-B-B
Diodes Incorporated

ATS277H-PG-B-C
Diodes Incorporated

EPF10K30ETC144-1N
Intel

A3P060-2VQ100I
Microsemi Corporation

A3PN125-ZVQ100
Microsemi Corporation

5SGXEB5R2F40C2L
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EP4CE22E22C9L
Intel

5SGSMD6N3F45C2LN
Intel

5SGXMA5H3F35C2N
Intel

XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.

A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation

EP20K60EBC356-1X
Intel