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Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L,LQ

Name: TK65S04N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK65S04N1L,LQ
Price: 0.6552 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (20 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK65S04N1L,LQ

quantité disponible: 72820 Pièces

Prix de référence: USD 0.6552

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK65S04N1L,LQ.pdf

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TK65S04N1L,LQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK65S04N1L,LQ
Numéro de pièce future	FT-TK65S04N1L,LQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVIII-H
TK65S04N1L,LQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	65A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2550pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	107W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK+
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK65S04N1L,LQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK65S04N1L,LQ-FT

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