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Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL,S1X

Name: TK4R3E06PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R3E06PL,S1X
Price: 1.584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (12 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK4R3E06PL,S1X

quantité disponible: 10520 Pièces

Prix de référence: USD 1.584

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIX-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK4R3E06PL,S1X.pdf

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TK4R3E06PL,S1X Caractéristiques

Référence fabricant	TK4R3E06PL,S1X
Numéro de pièce future	FT-TK4R3E06PL,S1X
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIX-H
TK4R3E06PL,S1X Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3280pF @ 30V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	87W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK4R3E06PL,S1X Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK4R3E06PL,S1X-FT

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