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Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F

Name: TK35N65W5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK35N65W5,S1F
Price: 5.420264 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (30 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK35N65W5,S1F

quantité disponible: 18100 Pièces

Prix de référence: USD 5.420264

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK35N65W5,S1F.pdf

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TK35N65W5,S1F Caractéristiques

Référence fabricant	TK35N65W5,S1F
Numéro de pièce future	FT-TK35N65W5,S1F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSIV
TK35N65W5,S1F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	35A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	270W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK35N65W5,S1F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK35N65W5,S1F-FT

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