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Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S

Name: TK18E10K3,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK18E10K3,S1X(S
Price: 0.94752 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (28 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK18E10K3,S1X(S

quantité disponible: 91210 Pièces

Prix de référence: USD 0.94752

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIV MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK18E10K3,S1X(S.pdf

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TK18E10K3,S1X(S Caractéristiques

Référence fabricant	TK18E10K3,S1X(S
Numéro de pièce future	FT-TK18E10K3,S1X(S
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIV
TK18E10K3,S1X(S Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK18E10K3,S1X(S Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK18E10K3,S1X(S-FT

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