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Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ

Name: TK160F10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK160F10N1L,LQ
Price: 1.07416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (701 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK160F10N1L,LQ

quantité disponible: 82480 Pièces

Prix de référence: USD 1.07416

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVIII-H X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK160F10N1L,LQ.pdf

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TK160F10N1L,LQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK160F10N1L,LQ
Numéro de pièce future	FT-TK160F10N1L,LQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVIII-H
TK160F10N1L,LQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	160A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-220SM(W)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK160F10N1L,LQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK160F10N1L,LQ-FT

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