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Référence fabricant | THAS431M100AB1C |
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Numéro de pièce future | FT-THAS431M100AB1C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | THAS |
THAS431M100AB1C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 430µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 100V |
ESR (résistance série équivalente) | 210 mOhm @ 120Hz |
Durée de vie @ Temp. | 3000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 1.4A @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.82A @ 20kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.394" (10.00mm) |
Taille / Dimension | 1.807" L x 1.000" W (45.90mm x 25.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.366" (9.30mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | FlatPack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THAS431M100AB1C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | THAS431M100AB1C-FT |
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A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP4CE40F23C9LN
Intel
5SGXMA4K3F35C2N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C4
Intel