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Référence fabricant | THAS111M250AA1C |
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Numéro de pièce future | FT-THAS111M250AA1C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | THAS |
THAS111M250AA1C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 110µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 250V |
ESR (résistance série équivalente) | 900 mOhm @ 120Hz |
Durée de vie @ Temp. | 3000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Courant d'ondulation à basse fréquence | 600mA @ 120Hz |
Courant d'ondulation à haute fréquence | 1.02A @ 20kHz |
Impédance | - |
Espacement des fils | 0.394" (10.00mm) |
Taille / Dimension | 1.433" L x 1.000" W (36.40mm x 25.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.366" (9.30mm) |
Surface du terrain de montage | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | FlatPack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THAS111M250AA1C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | THAS111M250AA1C-FT |
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XCKU040-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
EPF10K100AFC484-2N
Intel
5SGXMB5R2F40I3LN
Intel
5SGXEA9K3H40I3L
Intel
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SGES
Intel