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Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG3S0HBAI6

Name: TH58BYG3S0HBAI6
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TH58BYG3S0HBAI6
Price: 9.504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (563 reviews)

Numéro de pièce MFG: TH58BYG3S0HBAI6

quantité disponible: 89460 Pièces

Prix de référence: USD 9.504

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Memory America, Inc.

Brève description: Benand™ 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TH58BYG3S0HBAI6.pdf

TH58BYG3S0HBAI6 Caractéristiques

Référence fabricant	TH58BYG3S0HBAI6
Numéro de pièce future	FT-TH58BYG3S0HBAI6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Benand™
TH58BYG3S0HBAI6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire	8Gb (1G x 8)
Fréquence d'horloge	-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	25ns
Temps d'accès	-
Interface mémoire	-
Tension - Alimentation	1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	67-VFBGA (6.5x8)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58BYG3S0HBAI6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TH58BYG3S0HBAI6-FT

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