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Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI4

Name: TH58BYG2S3HBAI4
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TH58BYG2S3HBAI4
Price: 6.2 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (36 reviews)

Numéro de pièce MFG: TH58BYG2S3HBAI4

quantité disponible: 74700 Pièces

Prix de référence: USD 6.2

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Memory America, Inc.

Brève description: Benand™ 4G SLC NAND BGA 24NM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TH58BYG2S3HBAI4.pdf

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TH58BYG2S3HBAI4 Caractéristiques

Référence fabricant	TH58BYG2S3HBAI4
Numéro de pièce future	FT-TH58BYG2S3HBAI4
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Benand™
TH58BYG2S3HBAI4 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire	4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge	-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	-
Tension - Alimentation	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	63-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur	63-TFBGA (9x11)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58BYG2S3HBAI4 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TH58BYG2S3HBAI4-FT

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