maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TGL41-200A-E3/96
Référence fabricant | TGL41-200A-E3/96 |
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Numéro de pièce future | FT-TGL41-200A-E3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
TGL41-200A-E3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 171V |
Tension - Panne (Min) | 190V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 274V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 730mA |
Puissance - Peak Pulse | 200W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF |
Package d'appareils du fournisseur | GL41 (DO-213AB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TGL41-200A-E3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TGL41-200A-E3/96-FT |
GSOT08C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT08C-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-4FG456C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG256
Microsemi Corporation
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2N
Intel
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation