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Référence fabricant | TGHHV10R0JE |
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Numéro de pièce future | FT-TGHHV10R0JE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TGH |
TGHHV10R0JE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 120W |
Composition | Thick Film |
Coéfficent de température | ±250ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Caractéristiques | Non-Inductive, Pulse Withstanding, RF, High Frequency |
Revêtement, type de logement | Epoxy Coated |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 1.500" L x 0.980" W (38.10mm x 24.90mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.483" (12.26mm) |
Style de plomb | M4 Threaded |
Paquet / caisse | SOT-227-2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TGHHV10R0JE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TGHHV10R0JE-FT |
WFH230L1K5JE
Ohmite
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XC4025E-2HQ304C
Xilinx Inc.
MPF300T-1FCG484E
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XA6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C70F896C7
Intel