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Référence fabricant | TESD5V0L1UC RJG |
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Numéro de pièce future | FT-TESD5V0L1UC RJG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TESD5V0L1UC RJG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 15V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 100W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 2pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006L |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TESD5V0L1UC RJG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TESD5V0L1UC RJG-FT |
TPSMC30AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation