maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TESD24VS2BT
Référence fabricant | TESD24VS2BT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TESD24VS2BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TESD24VS2BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 2 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 24V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 25.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 70V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 200W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 11pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TESD24VS2BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TESD24VS2BT-FT |
TPSMC27HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
M7A3P1000-1PQ208I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
10AX032H4F34E3SG
Intel
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19A7N
Intel
EP4SGX360HF35C3
Intel