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Référence fabricant | TEH100M2R00JE |
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Numéro de pièce future | FT-TEH100M2R00JE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEH100 |
TEH100M2R00JE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 2 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 100W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | 250ppm/°C |
Température de fonctionnement | - |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Taille / Dimension | 0.620" L x 0.195" W (15.75mm x 4.95mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.825" (20.96mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TEH100M2R00JE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TEH100M2R00JE-FT |
TFSD1K50JE
Ohmite
TFSD20K0JE
Ohmite
TFSD270RJE
Ohmite
TFSD4K70JE
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TFSD750RJE
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TFSF100KJE
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TFSF100RJE
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TFSF10K0JE
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TFSF1K00JE
Ohmite
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel