maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / TE28F256J3F105A
Référence fabricant | TE28F256J3F105A |
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Numéro de pièce future | FT-TE28F256J3F105A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | StrataFlash™ |
TE28F256J3F105A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 105ns |
Temps d'accès | 105ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 56-TSOP (18.4x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TE28F256J3F105A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TE28F256J3F105A-FT |
JS28F512P30BFA
Micron Technology Inc.
JS28F512P30EF0
Micron Technology Inc.
JS28F512P30EFA
Micron Technology Inc.
JS28F512P30TFA
Micron Technology Inc.
JS28F512P33BFD
Micron Technology Inc.
JS28F512P33EF0
Micron Technology Inc.
JS28F512P33EFA
Micron Technology Inc.
JS28F512P33TFA
Micron Technology Inc.
JS28F640J3D75A
Micron Technology Inc.
JS28F640J3D75B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel