maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / TCS1200
Référence fabricant | TCS1200 |
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Numéro de pièce future | FT-TCS1200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TCS1200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Fréquence - Transition | 1.03GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 10.2dBd |
Puissance - Max | 2095W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 55TU-1 |
Package d'appareils du fournisseur | 55TU-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TCS1200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TCS1200-FT |
BFP 620F E7764
Infineon Technologies
BFP 640FESD E6327
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BFP 650F E6327
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