Référence fabricant | TB4S-G |
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Numéro de pièce future | FT-TB4S-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TB4S-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 400mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-TBS |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TB4S-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TB4S-G-FT |
GBPC3504W-BP
Micro Commercial Co
KBP206-BP
Micro Commercial Co
KBP10M-BP
Micro Commercial Co
KBP06M-BP
Micro Commercial Co
KBP2005-BP
Micro Commercial Co
KBP201-BP
Micro Commercial Co
KBP202-BP
Micro Commercial Co
KBP204-BP
Micro Commercial Co
KBP208-BP
Micro Commercial Co
KBP210-BP
Micro Commercial Co
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel