maison / des produits / Résistances / Résistances à montage sur châssis / TAP650JR50E
Référence fabricant | TAP650JR50E |
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Numéro de pièce future | FT-TAP650JR50E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TAP650 |
TAP650JR50E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 500 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 650W |
Composition | Thick Film |
Coéfficent de température | ±150ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Caractéristiques | - |
Revêtement, type de logement | Epoxy Coated |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 2.264" L x 2.028" W (57.50mm x 51.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.532" (13.50mm) |
Style de plomb | Wire Leads |
Paquet / caisse | Box |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TAP650JR50E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TAP650JR50E-FT |
WFH330L5K0J
Ohmite
WFH330L75RJ
Ohmite
WFH90L100J
Ohmite
WFH90L10RK
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WFH90L1K0J
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WFH90L25RJ
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WFH90L470J
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WFH90L4R7K
Ohmite
WFH90L50RJ
Ohmite
WFH90L5K0J
Ohmite
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
EP4S100G5F45I2N
Intel
EP4SE530F43I4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31I5N
Intel