maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / TA810PW820RJE
Référence fabricant | TA810PW820RJE |
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Numéro de pièce future | FT-TA810PW820RJE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Power Chip® TA |
TA810PW820RJE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 820 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 10W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 180°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Powerchip® |
Taille / Dimension | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.020" (25.91mm) |
Nombre de terminaisons | 4 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW820RJE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TA810PW820RJE-FT |
TAH20P1R00JE
Ohmite
TAH20P100RJE
Ohmite
TAH20P150RJE
Ohmite
TAH20P1K00JE
Ohmite
TAH20P1R50JE
Ohmite
TAH20P220RJE
Ohmite
TAH20P2K70JE
Ohmite
TAH20P2R20JE
Ohmite
TAH20P33R0JE
Ohmite
TAH20P3R30JE
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel