maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / TA810PW200KJ
Référence fabricant | TA810PW200KJ |
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Numéro de pièce future | FT-TA810PW200KJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Power Chip® TA |
TA810PW200KJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 200 kOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 10W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 180°C |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | Powerchip® |
Taille / Dimension | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.020" (25.91mm) |
Nombre de terminaisons | 4 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW200KJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TA810PW200KJ-FT |
TA205PAR250J
Ohmite
TA303PA100RJ
Ohmite
TA303PA10K0J
Ohmite
TA303PA10R0J
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TA303PA12R0J
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TA303PA150RJ
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TA303PA1K00J
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TA303PA1K50J
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TA303PA1K80J
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TA303PA200RJ
Ohmite
EP1K50TC144-1
Intel
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel