maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / TA6F8.2AHM3/6B
Référence fabricant | TA6F8.2AHM3/6B |
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Numéro de pièce future | FT-TA6F8.2AHM3/6B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TA6F8.2AHM3/6B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.02V |
Tension - Panne (Min) | 7.79V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 49.6A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA6F8.2AHM3/6B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TA6F8.2AHM3/6B-FT |
TA6F15AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F16AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F16AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F18AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F18AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F20AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F20AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F22AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TA6F24AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R2F40C2LN
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Lattice Semiconductor Corporation