maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR - Modules / TA20081803DH
Référence fabricant | TA20081803DH |
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Numéro de pièce future | FT-TA20081803DH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TA20081803DH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Structure | Single |
Nombre de SCR, Diodes | 1 SCR |
Tension - état d'arrêt | 800V |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 1800A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 2820A |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 4.5V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 200mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 36500A, 40000A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-200AE Variation |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20081803DH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TA20081803DH-FT |
VS-VSKL300-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKL500-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1415A-1PQ100M
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FG676I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150CF23C7N
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
LCMXO2280E-4M132C
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LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation