maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR - Modules / T720165504DN
Référence fabricant | T720165504DN |
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Numéro de pièce future | FT-T720165504DN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
T720165504DN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Structure | Single |
Nombre de SCR, Diodes | 1 SCR |
Tension - état d'arrêt | 1.6kV |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 550A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | 850A |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 3V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 150mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | 9125A, 10000A |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-200AC, B-PUK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T720165504DN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | T720165504DN-FT |
VS-T70RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT56/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
10M40DCF256C8G
Intel
10M08SCU169A7G
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel
5SGXEA3H3F35C2N
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel