maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Thyristors - SCR - Modules / T720123504DN
Référence fabricant | T720123504DN |
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Numéro de pièce future | FT-T720123504DN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
T720123504DN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Structure | Single |
Nombre de SCR, Diodes | 1 SCR |
Tension - état d'arrêt | 1.2kV |
Courant - En marche (It (AV)) (Max) | 350A |
Courant - En marche (It (RMS)) (Max) | - |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (Max) | 3V |
Courant - déclencheur de porte (Igt) (max.) | 150mA |
Courant - Surtension non représentative 50, 60Hz (Itsm) | - |
Courant - Maintien (Ih) (Max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-200AC, B-PUK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T720123504DN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | T720123504DN-FT |
TT92N12KOFB4HPSA1
Infineon Technologies
TT92N16KOFHPSA1
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TT92N16KOFKHPSA1
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TZ150N26KOFHPSA1
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TZ400N24KOFHPSA1
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TZ400N26KOFHPSA1
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TZ425N12KOFHPSA1
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TZ425N14KOFHPSA1
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TZ425N16KOFHPSA1
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TZ425N18KOFHPSA1
Infineon Technologies
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
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A3P250L-VQG100
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5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP4CE15E22I8L
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EP4CE6E22C8LN
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