maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SZESD8351XV2T1G
Référence fabricant | SZESD8351XV2T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SZESD8351XV2T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SZESD8351XV2T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.3V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 5.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | 0.37pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SZESD8351XV2T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SZESD8351XV2T1G-FT |
SZMMBZ12VALT1G
ON Semiconductor
SZMMBZ15VALT3G
ON Semiconductor
SZMMBZ15VDLT1G
ON Semiconductor
SZMMBZ15VDLT3G
ON Semiconductor
SZMMBZ18VALT3G
ON Semiconductor
SZMMBZ27VCLT1G
ON Semiconductor
SZMMBZ33VALT1G
ON Semiconductor
SZMMBZ4252T3G
ON Semiconductor
SZMMBZ9V1ALT3G
ON Semiconductor
MA3075WALT1G
ON Semiconductor
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100I
Microsemi Corporation
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX110-1FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-2N
Intel