maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUP90N08-7M7P-E3
Référence fabricant | SUP90N08-7M7P-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SUP90N08-7M7P-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUP90N08-7M7P-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4250pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP90N08-7M7P-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUP90N08-7M7P-E3-FT |
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XC6SLX25-N3FGG484I
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M2GL090T-FG484
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M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
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XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel