maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUP90N06-5M0P-E3
Référence fabricant | SUP90N06-5M0P-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SUP90N06-5M0P-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUP90N06-5M0P-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6190pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP90N06-5M0P-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUP90N06-5M0P-E3-FT |
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Intel
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Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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