maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUP90N04-3M3P-GE3
Référence fabricant | SUP90N04-3M3P-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SUP90N04-3M3P-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUP90N04-3M3P-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 131nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5286pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP90N04-3M3P-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUP90N04-3M3P-GE3-FT |
IRF840A
Vishay Siliconix
IRF9510
Vishay Siliconix
IRF9520
Vishay Siliconix
IRF9530
Vishay Siliconix
IRF9540
Vishay Siliconix
IRF9610
Vishay Siliconix
IRF9620
Vishay Siliconix
IRF9630
Vishay Siliconix
IRF9640
Vishay Siliconix
IRF9Z14
Vishay Siliconix
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel