maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUP80090E-GE3
Référence fabricant | SUP80090E-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SUP80090E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ThunderFET® |
SUP80090E-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 128A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3425pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 375W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP80090E-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUP80090E-GE3-FT |
IRF734PBF
Vishay Siliconix
IRF737LCPBF
Vishay Siliconix
IRF740A
Vishay Siliconix
IRF740L
Vishay Siliconix
IRF740LC
Vishay Siliconix
IRF744
Vishay Siliconix
IRF744PBF
Vishay Siliconix
IRF820A
Vishay Siliconix
IRF840A
Vishay Siliconix
IRF9510
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.