maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUD50P08-25L-E3
Référence fabricant | SUD50P08-25L-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SUD50P08-25L-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUD50P08-25L-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.2 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50P08-25L-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUD50P08-25L-E3-FT |
SIJ470DP-T1-GE3
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SIJ478DP-T1-GE3
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SIJ482DP-T1-GE3
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SIJA52DP-T1-GE3
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SIJA72ADP-T1-GE3
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SIRA58ADP-T1-RE3
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AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel