maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUD50N06-08H-E3
Référence fabricant | SUD50N06-08H-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SUD50N06-08H-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUD50N06-08H-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 93A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N06-08H-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUD50N06-08H-E3-FT |
SQJA06EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA34EP-T1_GE3
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SQJA46EP-T1_GE3
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SQJA60EP-T1_GE3
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SQJA64EP-T1_GE3
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SQJA84EP-T1_GE3
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SQJA88EP-T1_GE3
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SQJA90EP-T1_GE3
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel