maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUD50N03-06P-E3
Référence fabricant | SUD50N03-06P-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SUD50N03-06P-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUD50N03-06P-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 84A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 8.3W (Ta), 88W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N03-06P-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUD50N03-06P-E3-FT |
SI8461DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8821EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8465DB-T2-E1
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SI8424CDB-T1-E1
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SI8429DB-T1-E1
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SI8409DB-T1-E1
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SI8413DB-T1-E1
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XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation