maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUD08P06-155L-GE3
Référence fabricant | SUD08P06-155L-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SUD08P06-155L-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUD08P06-155L-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD08P06-155L-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUD08P06-155L-GE3-FT |
SI8481DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SIHU4N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHU6N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHU6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SISH110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH116DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH615ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH108DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH114ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel