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Référence fabricant | STWA75N60M6 |
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Numéro de pièce future | FT-STWA75N60M6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M6 |
STWA75N60M6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 72A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4850pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 446W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 Long Leads |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STWA75N60M6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STWA75N60M6-FT |
DMN10H220LQ-7
Diodes Incorporated
DMN2024UFDF-13
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DMN2450UFB4-7B
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DMP2043UCA3-7
Diodes Incorporated
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation