maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STW56NM60N
Référence fabricant | STW56NM60N |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STW56NM60N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II |
STW56NM60N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 22.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW56NM60N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STW56NM60N-FT |
STW70N65M2
STMicroelectronics
STW9N80K5
STMicroelectronics
STWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
STY139N65M5
STMicroelectronics
STY100NM60N
STMicroelectronics
STY105NM50N
STMicroelectronics
STY112N65M5
STMicroelectronics
STY50N105DK5
STMicroelectronics
STY145N65M5
STMicroelectronics
STY60NM50
STMicroelectronics
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel