maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STW28NM60ND
Référence fabricant | STW28NM60ND |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STW28NM60ND |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FDmesh™ II |
STW28NM60ND Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 23A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2090pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 190W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW28NM60ND Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STW28NM60ND-FT |
STW75NF30AG
STMicroelectronics
STW25N60M2-EP
STMicroelectronics
STW26N60M2
STMicroelectronics
STW30N80K5
STMicroelectronics
STW63N65DM2
STMicroelectronics
STW70N65M2
STMicroelectronics
STW9N80K5
STMicroelectronics
STWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
STY139N65M5
STMicroelectronics
STY100NM60N
STMicroelectronics
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel